华太电子公司成立于2010年3月，是一家拥有半导体产业链多环节底层核心技术、多领域布局协同发展的平台型半导体公司。公司主要从事射频系列产品、功率系列产品、高端散热材料的研发、生产与销售，并提供大功率封测业务，产品可广泛应用于通信基站、光伏发电与储能、半导体装备、智能终端、新能源汽车、工业控制等大功率场景。
以射频芯片和功率芯片业务为主航道
国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商
聚焦万物互联和数字能源两大应用领域
2022年8月18日，由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院等部门主办的2022世界半导体大会隆重举行。华太凭借多年在功率器件技术领域深耕多项技术指标达到国际领先，荣获“2021-2022中国IGBT创新奖”。
华太RF产品线覆盖移动通信基站、手持通信、航空航天、工业设备与仪器等多种应用，构成了从低频（30MHz）到高频（6GHz）,从低功率（0.1W）到高功率（1000W），从低电压（3.6V）到高电压（50V），效率高，可靠性好的较为完整的产品线，可以满足大部分雷达、通信基站、航天航空、工业设备与仪器等领域的应用需要。
通信基站
华太RF LDMOS产品广泛应用于移动通信基站、直放站行业领域，打破了国外公司功率管的垄断地位，提升了我国通信领域核心产品竞争力和产业链的完整性和安全性。 华太研发的GSM 900MHz 140W 产品、TDD-LTE 1880MHz-2025MHz 120W、700MHz-2700MHz 10W等产品已经在国际一线通信设备公司量产，性能与国际同行相当，实现了通信基站领域RF LDMOS的国产化突破。
产品列表
| 通信基站-分立器件 | |||||||||
| Part Num. | Freq （MHz） | VDD (V) | P1dB (dBm) | Gain (dB) | Pavg (dBm) | Test Freq (MHz) | 目标应用 | Package | Process |
| HTA50P3 | 1800-5000 | 5 | 24 | 29 | 14 | 2600 | 宽带驱动,5G微站，天线系统 | QFN3×3 | GaAs |
| HTN8G38S004P | 700-3800 | 28 | 36 | 19 | 25 | 2600 | 便携设备，5G微站 | DFN3×3 | LDMOS |
| HTN7G38S007P | 700-3800 | 28 | 38 | 14.2 | 28 | 3400 | 便携设备，5G微站 | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTN8G27S015P | 700-2700 | 28 | 41 | 20 | 30 | 2600 | 便携设备，5G微站 | DFN5×5 | LDMOS |
| HTN8G36S015P | 3300-4200 | 28 | 41 | 17 | 30 | 3500 | 便携设备，5G微站 | DFN5×5 | LDMOS |
| HTN8G27S010P | 700-2700 | 28 | 40 | 18 | 29 | 2140 | MDAS，直放站驱动 | PDFN6×5 | LDMOS |
| HTN8G27S020PG | 700-2700 | 28 | 44 | 19 | 34 | 2140 | MDAS，5G驱动 | TO270 | LDMOS |
| HTN7G21S040PG | 700-2100 | 28 | 46 | 16.1 | 36 | 1840 | 直放站28V/北斗12V | TO270 | LDMOS |
| HTN8G27P040P | 2500-2700 | 28 | 46 | 20 | 37 | 2600 | 64T MIMO，5G驱动 | DFN7.5×5 | LDMOS |
| HTN7G09S060P | 700~960 | 28 | 49 | 21.8 | 39 | 940 | GSM干放，专网 | TO270 | LDMOS |
| HTN7G09S120P | 700~960 | 28 | 50 | 22.1 | 40.5 | 881 | 电子围栏，直放站 | TO270 | LDMOS |
| HTH1D27P110H | 2500-2700 | 48 | 50.8(P5) | 16 | 41.4 | 2600 | 32T MIMO，驱动 | DFN7×6.5 | GaN |
| HTH1D36P120H | 3400-3600 | 48 | 51(P3) | 14 | 41.4 | 3500 | 32T MIMO，驱动 | DFN7×6.5 | GaN |
| HTH8G09P350H | 700-821 | 48 | 55.7(P3) | 22 | 47.3 | 778 | 30W/40W基站 | H2110S-4L | LDMOS |
| HTH9G09P550S | 700-960 | 48 | 57.4(P5) | 20 | 49.5 | 942 | 60W基站 | ACS2110S-4L | LDMOS |
| HTH1D27P550S | 2500-2700 | 48 | 57.2(P5) | 15 | 47.4 | 2600 | 30W/40W基站 | ACC2110S-4L | GaN |
| HTH1D36P450H | 3400-3600 | 48 | 56.2(P5) | 14 | 47.4 | 3500 | 30W/40W基站 | ACC2110S-4L | GaN |
| HTH1D09P700S | 758-960 | 48 | 58.6(P5) | 19 | 50.5 | 803 | 80W基站 | ACS2110S-4L | GaN |
| HTH1D22P360S | 1805-2170 | 48 | 56.1(P5) | 16 | 48 | 1840 | 40/60W基站 | H2110S-4L | LDMOS |
| HTN7G21P160H | 1805~2170 | 28 | 52 | 16.7 | 44.8 | 1960 | 电子围栏，光纤直放站 | H2110S-6L | LDMOS |
| 5G小基站-MMIC | |||||||||
| Part Num. | Freq （MHz） | VDD (V) | Gain (min) dB | Pavg (dBm) | P-3(min) dBm | Eff(typical) | 目标应用 | Package | Process |
| H8G0708M06P | 728-821 | 28 | 19 | 28 | 37.3 | 45 | 宽带驱动,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G0810M06P | 869-960 | 28 | 19 | 28 | 37.3 | 45 | 宽带驱动,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G1819M10P | 1805-1880 | 28 | 27 | 31 | 40.5 | 43 | 宽带驱动,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G2022M10P | 2110-2170 | 28 | 27 | 31 | 40.5 | 43 | 宽带驱动,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G2324M10P | 2300-2400 | 28 | 27 | 31 | 40 | 41 | 宽带驱动,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G2527M10P | 2500-2700 | 28 | 27 | 31 | 40 | 39 | 宽带驱动,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G3336M12P | 3300-3600 | 28 | 33 | 32 | 41.5 | 33 | 宽带驱动,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G3540M12P | 3600-3800 | 28 | 33 | 32 | 41 | 32 | 宽带驱动,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H9G4750M12P | 4700-5000 | 28 | 30 | 32 | 41 | 28 | 宽带驱动,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H9G1822M60P | 1805-2170 | 28 | 28.2 | 35 | 48 | 29 | 宽带驱动，mMIMO | OMP400-8 | LDMOS |
| H8G1822M100P | 1805-2170 | 28 | 26.2 | 38 | 49.7 | 25 | 宽带驱动，mMIMO | OMP780-16 | LDMOS |
| 移动无线电 | |||||||||
| Part Num. | Min. Freq （MHz） | Max. Freq （MHz） | VDD (V) | Eff(typical) | Gain (dB) | Psat （W） | 目标应用 | Package | Process |
| HTU7G06S0P5P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 70/73 | 10/14 | 0.7/1.5 | 0.5W机，5W/10W机推动 | SOT89 | LDMOS |
| HTU7G06S0P6P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 67/67 | 10/14 | 0.7/1.5 | 2W/5W机推动 | SOT23 | LDMOS |
| HTU7G06S002P | 100 | 1000 | 3.6 | 61 | 14 | 2.6 | 2W机 | SOT89 | LDMOS |
| HTU7G06S004P | 100 | 1000 | 3.6 | 60 | 12 | 4 | 3W机 | PDFN3×3 | LDMOS |
| HTU7G06S005P | 100 | 1000 | 3.6 | 65 | 11 | 5 | 3W机 | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTL7G06S006P | 100 | 1000 | 7.2 | 61 | 13 | 6 | 5W机 | SOT89 | LDMOS |
| HTU7G06S007P | 100 | 1000 | 3.6 | 65 | 10 | 7 | 单电池5W机 | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTL7G06S009P | 100 | 1000 | 7.2/8.4 | 60 | 12 | 8/9 | 7W模拟机，4W数字机 | SOT89 | LDMOS |
| HTL7G06S011P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 60/60 | 10/12 | 5/11 | 单电池3W/双电池10W机 | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTM7G06S035P | 100 | 1000 | 12.5/24 | 61 | 15/20 | 38/100 | 车台，军工电台，应急广播 | TO-270 | LDMOS |
| ISM&工业医疗 | |||||||||
| 产品型号 | 工作频率 (MHz) | 工作电压 (V) | Psat （W） | DE （%） | Gain (dB) | Test Freq (MHz) | 目标应用 | Package | Process |
| HT647P | 600-1600 | 28 | 200 | 59 | 19.7 | CW@1350 | 宽带专网，军用 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HT647PL | 30-512 | 28 | 200 | 67.9 | 23.3 | CW@450 | 宽带专网，军用 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH7G14S150H(B) | 1.8-1400 | 50 | 158 | 56 | 21.5 | Pulse@860 | 广播，直放站 | H0906 | LDMOS |
| HTH7G06P300H(B) | 1.8-600 | 50 | 430 | 64 | 20.8 | Pulse@435 | 广播，雷达，通信 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH8G07P400H(B) | 100-700 | 50 | 400 | 60 | 20 | Pulse@600 | 宽带专网，广播，雷达 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH7G14S030H(B) | 1.8-1400 | 50 | 30 | 61 | 18 | Pulse@1200 | 宽带专网，广播，雷达 | H0906 | LDMOS |
| HTH7G06P500H(B) | 1.8-600 | 50 | 550 | 60 | 24.6 | Pulse@435 | 广播，雷达，通信 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH8G07P600H(B) | 470-700 | 50 | 600 | 63 | 22 | Pulse@600 | 工业，医疗，雷达 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH8G07P1K0H(B) | 470-700 | 50 | 1000 | 60 | 16.5 | Pulse@600 | DVB-T，广播 | ACC3210S-4L | LDMOS |
| HTH8G07P1K4H(B) | 1.8-200 | 50 | 1400 | 70 | 27 | CW@60 | DVB-T，广播 | ACC3210S-4L | LDMOS |
| HTH8G02P350H(B) | 1.8-200 | 50 | 350 | 70 | 25 | CW@160 | 宽带专网，广播 | ACS2110B-4L | LDMOS |
| HTH8G02P550H(B) | 1.8-200 | 50 | 550 | 70 | 25 | Pulse@100 | 宽带专网，广播，工业医疗 | ACS2110B-4L | LDMOS |
| 射频能量 | |||||||||
| 产品型号 | 工作频率 (MHz) | 工作电压 (V) | P-1dB （W） | DE （%） | Gain (dB) | Test Freq (MHz) | 目标应用 | Package | Process |
| HT20340S | 10-200 | 50 | 400 | 72 | 25 | CW@ 40 | 射频能量，工业 | TO247 | LDMOS |
| HTH9G09P700H(B) | 600-950 | 40 | 700 | 68 | 18 | Pulse@800 | 射频能量，工业 | ACC3210S-4L | LDMOS |
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